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單晶硅片超聲波清洗機是一種用于清洗晶硅片等精密零部件的一種清洗設備，經切片、研磨、倒角、拋光等多道工序加工成的硅片，

其表面已吸附了各種雜質，如顆粒、金屬粒子、硅粉粉塵及有機雜質，在進行擴散前需要進行清洗，消除各類污染物且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可靠率。清洗主要是利用NaOH、HF、HCL等化學液對硅片進行腐蝕處理，去除硅片表面的機械損傷層，對硅片的表面進行凹凸面(金字塔絨面）處理，增加光在太陽電池片表面的折射次數，利于太陽電池片對光的吸收，以達到電池片對太陽能價值的大利用率，清除表面硅酸鈉、氧化物、油污以及金屬離子雜質。倒角前清洗：主要利用熱堿溶液和超聲波振板對已切成的硅片進行表面清洗，以去除硅片表面的粘接劑、有機物和硅粉等。

單晶硅超聲波清洗機是通過超聲波振動在液體中形成微小的氣泡，這些氣泡由于超聲波空化作用快速地破裂而產生微小的擦洗從而出去單晶硅片表面的污染物。超聲波清洗技術在半導體行業中已經是一種廣泛應用到的清洗方式，它具有清洗效果好、操作簡單等優勢。在單晶硅片的制作過程中大部分步驟為清洗工藝，在清洗硅片中應正確的使用單晶硅片超聲波清洗機，單晶硅片的潔凈度對半導體器件的性能起著至關重要的作用。

超聲波清洗機輔助清洗：

顆粒沾污:運用物理方法，可采取機械擦洗或超聲波清洗技術來去除超聲波清洗時，由于空洞現象，只能去除 ≥ 0.4 um顆粒。兆聲清洗時，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除≥ 0.2 um 顆粒，即使液溫下降到40℃也能得到與80℃超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲洗硅片產生損傷。

化學清洗劑清洗

硅片化學清洗的主要目的是針對上述可能存在的硅片表面雜質進行去除。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑(如田苯、二甲苯、丙酮、三氯乙烯、四氯化碳等)、濃酸、強堿以及高純中性洗滌劑等。

硅片的干燥工藝

硅片清洗的后一個步驟就是硅片的烘干。烘干的目的主要是防止硅片再污染及在硅片表面產生印記。僅僅在去離子水沖洗后，在空氣中風干是遠遠不夠的。一般可以通過旋轉烘干，或通過熱空氣或熱氮氣使硅片變干。另外的方法是通過在硅片表面涂拭易于揮發的液體，如異丙醇等，通過液體的快速揮發來干燥硅片表面。